江西铜业技术研究院有限公司的发明专利(申请公布号 CN 121137397 A)公开了一种钨和/或氧化钨弥散强化铜合金及其制备方法与应用，为有色金属粉末冶金材料领域提供了新的技术方案。

　　现有采用球磨工艺制备氧化物弥散铜合金的方式，存在球磨时间长、铜基体易氧化的问题，额外引入的氧含量会显著降低合金的导热、导电及机械力学性能。而该发明提出的制备方法有效解决了这一痛点，具体包括四步：

　　首先将铜、钨和 / 或氧化钨混合后进行气流粉碎，该过程在惰性气体氛围中进行，气体压力控制在 0.7-1.0MPa，耗气量为 2-10m³/min，以混合物粉末总重量计，钨和 / 或氧化钨的重量百分含量为 0.1-5%，若同时含钨和氧化钨，二者重量比为 2:1;

　　随后将混合物粉末进行冷等静压处理，压力 130-250MPa，保压时间 180-600s，得到合金坯体;

　　接着对坯体进行氢气还原处理，温度 350-550℃，时间 1-3h;

　　最后通过放电等离子体烧结得到成品，烧结温度 700-820℃，升温速率 20-50℃/min，加压 20-60MPa，升压时间 3-8min，优选采用两段式升温烧结。

　　性能测试数据显示，该方法制备的合金坯体氧含量显著降低，实施例 1 中坯体氧含量仅为 0.06%，对应的合金热导率达 334W/(mK)，电导率 83.5% IACS，抗拉强度 441MPa;采用钨丝作为钨源的实施例 3，坯体氧含量低至 0.05%，热导率 339W/(mK)，电导率 90.5% IACS，抗拉强度更是达到 470MPa。反观对比方案，氢气还原温度过低(250℃)的对比例 1，坯体氧含量高达 0.18%，热导率仅 295W/(mK)，抗拉强度 370MPa;采用传统球磨工艺的对比例 3，坯体氧含量 0.28%，热导率 270W/(mK)，抗拉强度仅 320MPa，差距明显。

　　该钨和 / 或氧化钨弥散强化铜合金可广泛应用于电子电器、半导体领域，尤其适用于断路器、继电器以及芯片封装的热沉，凭借优异的综合性能，有望在多个工业领域实现推广应用。